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熔体法生长的镉汞材料中的复合缺陷消除方法

2003年 应用技术
  • 成果简介
该发明专利是一种熔体法生长的镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷的消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。该方法的最大优点是：未对仪器设备作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得了很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。...
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