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低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法

2003年 应用技术
  • 成果简介
该专利是一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法。其源物质为氩气稀释的S_iH_4，浓度为1%～30%；硅烷的流量为1.5～6L/min；氨气的流量为0.01～0.2L/min；生长温度为750～1000℃；硅烷和氨气的比例为25∶1～120∶1；真空系统的抽速为15L/min～2000L/min。利用该方法采用普通的LPCVD(低压化学气相沉积)设备，在850℃，能够生长出淀积厚度超过15微米的内应...
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