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深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器

2003年 应用技术
  • 成果简介
该发明专利是一种通过在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散，来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器，及其制造方法。它属于硅微机械传感器技术领域。该专利为实现电阻间的电绝缘，采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。该种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测，从而实现较高灵敏度。同时还克服了两个缺点：(1)采用硅片倾斜方向离子注...
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