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低温烧结氮化铝基复相材料

2003年

应用技术

成果简介

该发明专利是一种低温烧结AIN基复相材料及其制备方法，涉及电子封装材料及其制造领域。复相材料由AIN50～80，硼硅酸铅玻璃50～15，余量为LiF(wt%)组成。硼硅酸铅玻璃的组成(wt%)为：SiO_2：50～75；B_2O_3：3～17；PbO：15～29，含量为碱金属或碱土金属的氧化物。该发明专利采用热压烧结工艺，分三阶段升温、加压，最终保温阶段在950℃或1000℃下，在18～25MPa...

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