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静电感应器件SIT(H)器件物理和关键技术的基础研究

2001年 应用技术
  • 成果简介
该成果以静电感应晶闸管(SITH)为主,对SID的结构、I-V特性、电参数等重要方面进行了全面的研究;给出了SITH的阻断态解析分析方法及结果;提出了对于静电感应器件的统一数值分析方法;进行了1500V/100A电力SITH的结构和工艺设计,并给出了设计结果,所得的器件具有优良的特性和性能。该成果首次研究了SITH导通态下空间电荷效应的影响,给出了可应用在SID导通态下的数值模拟及计算方法,研究了...
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