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新型功率MOS器件

2003年

应用技术

成果简介

简要内容：该成果做出了四种管子：①绝缘栅双极晶体管(IGBT)并已设计定型，其技术指标：10-20A/1000-1250V，Toff＜0.18μs；②横向绝缘晶体管(LDGBT)技术指标为：Toff=120-160ns，耐压250-350V，电流1-2A；③矩形MOS晶体管(RMOS)技术指标：耐压220V，电流25A，比导通电阻0.042Ω·cm^2；④横向双扩散MOS晶体管(LDMOS)，其技...

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