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TDR-GY652型高压单晶炉

2004年

应用技术

成果简介

1.主要内容：TDR-GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"-6") GaAs、InP单晶的专用设备。2.技术水平：TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热...

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