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φ2″InP基HEMT材料生长技术

2001年

应用技术

成果简介

该专题基本解决用直径2英寸InP单晶抛光片研制出适用于毫米波段的高电子迁移率材料。集中解决了以下关键技术：1、生长表面结构变化与生长条件的关系分析；2、材料生长参数的控制；3、单层InAI和InGaAs材料的生长；4、In组份同沟道匹配生长的临界厚度的关系；5、In组份对结构材料的电学性能的影响；6、隔离层同材料电学性能的关系。应用情况及推广前景：在今后高科技发展中，InP基HEMT材料将占有重要...

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