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φ2″InP单晶生长技术

2001年

应用技术

成果简介

该专题基本解决了(100)InP单晶生长的工艺难关，提供直径2英寸掺S和掺Fe半绝缘(100)InP单晶抛光片，满足国内对InP单晶衬底的需求。该专题集中解决了以下关键技术：1、独特的原位直接合成技术；2、改进的“封闭式”热场抑制孪晶和降低位错；3、利于晶锭加工和改善晶体性能的热处理技术。应用情况及推广前景：InP是重要的Ⅲ－V族化合物半导体材料，其一系列的优越性使之在民用、军用光纤通信、微波、毫...

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