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表征功率器件用Si-GaAs特征参数

2001年

应用技术

成果简介

该成果的技术关键：1、设计了合适的热场系统，提高了Si－GaAs单晶率，又降低了晶体的位错密度及晶片应力。2、改进了抛光及清洗工艺，有效降低了Si－GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度及表面颗粒数量。3、研究并找出了专供功率器件用的Si－GaAs材料特征参数及测试方法。实用化生产的φ3″Si－GaAs晶体和小批量生产的φ4″Si－GaAs晶体，在电阻率、迁移率、电阻率截面均匀性、PLMapping均...

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