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制作亚微米线条的光刻技术

2003年 应用技术
  • 成果简介
内容简介：利用曝光后的光刻胶与有关硅烷反应，在表面生成一硅层，缝面在于清腐蚀中变为坚硬的二氧化硅起刻蚀中的掩膜版作用。可采用普通接触式光刻机和深紫外线光源，制作出线宽/间距同为0.7微米的线条，可有效的提高现有光刻设备的曝光分辨率。使用范围及市场预测：用于半导体器件与集成电路制造中的微细加工，对传统的光刻工艺进行技术革新，大幅度提高光刻设备的光刻精度。投产条件及效益分析：投产条件：普通接触式光刻机...
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