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微波ECRCVD

2002年

应用技术

成果简介

该技术是微电子领域的关键技术和支持技术，该校研制成功了中国第一台大面积分布式ECRCVD工艺系统，采用独创的ECR腔体结构和大尺寸分布式磁场，ECR源直径达300mm，加工尺寸达到直径200mm以上。主要技术指标较国际同类设备有重要突破，获得了SiN、SiON、SiO_2等多种介质膜的ECRCVD技术，淀积温度低于150度，8in基片上均匀性优于百分之九十五，该研究工作经技术鉴定，认为达到国际先进...

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