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中照区熔硅片

1997年 应用技术
  • 成果简介
中照区熔区熔吸除硅适用于集成电路。在集成电路的应用中，证实区熔吸除硅片制备的管芯性能良好。该技术1990年10月曾获国家发明专利，专利号7651。无微缺陷中照区熔硅片适用于功率器件。中照硅片，当片厚小于1毫米经940℃半小时热处理或功率器件制造过程中一扩时，940℃温区停留半小时，则将观察不到微缺陷氢沉淀，同时硅片电学性能恢复，电阻率不均匀度小于10%。在功率器件工艺稳定的冶金部自动化院、清华大学...
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