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掺碲砷化镓单晶片的研制

2002年 应用技术
  • 成果简介
通过研究，制得水平掺碲砷化镓单晶晶格完整性好，单晶片外延成功，用作体效应系列材料和变容系列材料，出管率高。单晶片外延后的整片电压分布均匀，制管后电阻小，提高了器件的品质因素，产品达国内同类产品先进水平。...
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