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立方氮化硼和金刚石薄膜、异质结的制备与特性研究

2003年 基础理论
  • 成果简介
　　立方氮化硼（c-BN）和金刚石都具有十分独特的物理和化学特性，被公认为是一类理想的新型宽带隙半导体材料，可广泛应用于高温、高频、大功率、抗强辐射半导体电子器件。它们还具有负的电子亲和势以及非常低的功函数，是优良的场发射材料，可用作平面冷阴极。
为了实现c-BN薄膜和金刚石薄膜在电子学领域的应用，就必须制备出高质量的薄膜，实现这两种薄膜材料的p型和n型掺杂并制备出同质结和异质...
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