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ULSI多层铜布线CMP纳米材料抛光剂及抛光技术的研究

2001年

应用技术

中期阶段

成果简介

该抛光剂针对1990年以来国际上ULSI制备中对铜布线化学机械全局平面化（CMP）急待解决的问题，能有效控制铜离子沾污，具有高速率、低损伤、高选择性，高清洁等优点，在理论与工程技术上取得了创造性突破，获得具有工业规模应用前景的CMP抛光剂，其创新点如下：
（1）首次提出用大分子具有环烷羟胺分子强络合加螯合且易溶解的CMP动力学过程和机理模型。
（2）...

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