首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

GAN基材料的ECR-等离子体增强MOCVD生长

2001年 应用技术
  • 成果简介
该项目主要成果有：LPMOCVD方法生长GaN中，首次采用了腔耦合型磁多极ECR等离子体源作为活化氮源，在600℃下，在GaAs上长出了晶质较好的C-GaN。首次揭示了这种腔耦合型ECR等离子体为何既能提供大面积均匀高活化氮又能不造成对晶面的离子损伤的机理，同时研究了氢等离子体在C-GaN生长过程中的作用。首次在MOCVD系统中配备了RHEED与CCD原位监测系统，并建成了可生长2英寸GaN片的腔...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统