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GAN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长与高温微电子器件研究-“GAN基材料RF等离子体MBE生长”

2001年

应用技术

成果简介

该项目取得的主要成果有：建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统；在白宝石、SiC HVPE GaN/Al_2O_3三种衬底上生长出具光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN(X_(A1)0-0.25)材料；研制了AlGaN/GaN/Al_2O_3、GaN/AlGaN/4H-SiC HEMT和二维电子气结构材料，进行了GaN器件单项基础工艺试验，建立了GaN磨削方法，获得稳定的刻蚀速度；...

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