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GAN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物生长与高温微电子器件研究

2001年

应用技术

成果简介

该项目在国际上首次提出用光辐射加热、低压MOVCD生长GaN基材料的方法与技术。自行设计建立了光辐射加热、低压MOVCD(LRH/LP-MOCVD)外延生长系统。运用该系统在蓝宝石和Si衬底上生长出高质量的GaN，AlN，AlGaN及AlGaN/GaN材料，材料部分性能指标达国际先进水平。用所生长的材料研制成功两种新型器件：AlGaN/GaN压电诱导增强型MIS结构场效应器件和Si衬底M-S-M结...

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