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铁电薄膜制备技术及其应用研究

2001年

应用技术

中期阶段

成果简介

该成果是国家“863”“九五”项目。
研究目的：研制成用于不挥发存储器的铁电薄膜并试制不挥发铁电薄膜存储器（FRAM）用于智能卡上。
技术原理及性能指标：利用铁电材料的存储原理来制作不挥发的存储器与现用的半导体存储器相比具有不挥发性，运转次数多、速度快可实现非接触等优点。
薄膜的性能：达到大面积（4寸），性能均匀（Pr>20ut/...

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