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GAN基蓝光材料生长及LED器件的研制

2001年

应用技术

成果简介

该项目突破了7项关键技术，在国内首次研制成功紫外发光二极管，生长了InGaN蓝色LED外延材料，生长了InGaN绿色LED外延材料，积累了在Al_2O_3衬底上MOCVD生长N型GaN、P型GaN和InGaN及其多层结构的材料生长经验，为项目产业化奠定了良好的技术基础和实用经验。与传统以气体放电的紫外光源相比，紫外发光二极管(波长小于390nm)，是一种全新的半导体光电器件，具有单色性好、体积小、...

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