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超高真空CVD生长锗硅应变超晶格及光电特性研究

2001年

应用技术

成果简介

利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延技术，成功地进行锗硅外延层的生长和实时掺杂生长。深入探索UHV/CVD低温外延工艺及其过程的控制，包括调节外延的温度、压强、流量，研究实时掺杂和工艺的稳定性。评价材料的晶体结构、电学性质和光学性质。该项目曾获得第十、十一届全国半导体集成电路和硅材料学术会议优秀论文，1997年度中国电子学会优秀论文奖，99’JICAST浙江大学与静冈大学双边国际会议最佳...

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