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中红外Ⅲ-V锑化物激光器/探测器材料与器件

2001年

应用技术

成果简介

该项目用分子束外延方法研制成功中红外GlGaAsAb/InGaAsSb多量子阱激光器材料和探测器材料。用该材料研制成功的单模多量子阱激光器，波长2.0mm，最高工作温度80℃，占空比10-60％，功率20mW。所研制的室温PIN探测器工作波长1.8-2.36mm，峰值波长2.3-2.4mm，室温探测率6×10^9cmHz^(1/2)/W，已在红外测温仪、定标光谱仪、地物光谱仪、近红外特征吸收光谱仪...

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