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单片集成长波长高速光发射机

2001年

应用技术

成果简介

在材料生长、芯片版图优化、HBT器件结构和器件性能等方面取得了较大的进展，特别是在改进集成工艺和提高OEIC可制造性上取得了突破，针对垂直集成方式表面台阶过高的不足，开发了两次曝光法光刻工艺，首次提出在OEIC中应用基于湿法化学腐蚀在<01-1>晶向剖面形成平滑侧壁的互连技术，解决了垂直集成中激光器阴极和HBT电极的互连难题。光发射机单片，在1.25Gb/s和1.5Gb/s传输速率下眼图良好。激光...

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