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低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法

2005年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征在于它是采用电阻加热的液相外延炉，将高温相的偏硼酸钡a－BBO单晶衬底作为大面积的籽晶，在B-BBO单晶的结晶温度下，低于相变温度925度，在高速旋转的a-BBO单晶衬底与BBO多晶料的饱和溶液接触过程中生长一层B-BBO单晶薄膜并经退火处理而制成。本方法可以在a-BBO衬底上生长出符合需要的微米量级的大面积B-BBO单晶薄膜，而且不用加工即可以...
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