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快速辐射加热/超低压化学气相淀积系统

2003年

应用技术

成果简介

新型高频、高速微电子器件、光电子器件及集成电路的制备、超晶格、量子阱等半导体材料及器件的制备需要在半导体衬底上生长出高质量的薄层(≤0.1μm)、超薄层(≤0.01μm)半导体薄膜，因而必须实现半导体材料的原子级外延生长。为实现以上目标，目前主要采用分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)、超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)、金属有机化学气淀积(MOCVD)等方法。MBE、CBE、UHV/C...

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