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新型GaAs基近红外低维结构半导体光电材料与器件

2005年

基础理论

成果简介

　　新一代近红外半导体低维光电子材料与器件是21世纪国际上十分重要的研究方向之一。目前近红外InP基材料以单元器件为主，存在成本高、温度稳定性差、难以单片集成等缺点。发展GaAs基近红外材料和集成光电子器件成为近5年来热点课题。本项目全面开展了GaAs基1.0～1.6微米材料生长、低维结构物理、激光器与探测器制备等研究工作，得到国家科技部、自然科学基金委、中科院创新工程等的支持，取得一系列具有国际...

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