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导电碳化硅材料新工艺

2001年 应用技术
  • 成果简介
该项技术将工业碳化硅中加入适量树脂结合剂、碳等，并保证一定的生坯气孔率，真空加热，然后在保护气氛下通过硅/碳直接反应烧结法制备得到由α-SiC、β-SiC、游离硅、少量游离碳所构成的低电阻碳化硅复相材料，生坯中适量A1、N、Ni、Mo元素的掺杂有利于降低材料室温电阻率，改善材料阻温特性，提高抗氧化能力，合适的烧结温度为1500℃-1600℃；制备合适的硅/碳化硅前驱体，并在1800℃进行重结晶烧结...
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