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亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料

2000年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　1997年3月至2000年11月，中科院半导体所、中科院微电子中心合作承担了“亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料”九五国家重点攻关项目，2000年10月18日已通过了中科院组织的科技成果鉴定与验收。
　　该项成果以亚微米、深亚微米CMOS工艺集成电路的应用为目标，主要开展了CMOS硅外延技术与外延吸杂技术攻关，研制、开发了Φ4～6英寸P/P+、N/N+、CMOS外延硅材料...

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