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硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应

2001年

应用技术

成果简介

SOI是一种用于高温、抗辐照、低压低功耗电路的新型硅基材料，但其制备过程中易被重金属杂质沾污。该项成果将H+、He+注入到硅中形成纳米孔层对重金属形成强烈的吸除作用，研究中对纳米孔的形成规律、机理、微结构、金属杂质在SOI材料中的扩散、纳米孔对杂质的吸除效率、机理等方面进行探索，发现了H+注入形成的纳米孔层剂量窗口及大剂量He+注入可在硅中产生密集气泡而不易引起表层硅剥离。此外，还研究了载体硅与S...

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