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适用于深亚微米CMOS电路的自对准硅化物工艺

1999年 应用技术
  • 成果简介
该成果深入进行了适用于0.2微米以下CMOS电路的Ti自对准硅化物和Co自对准硅化物工艺研究。新的Ti-SALICIDE工艺技术,采用Sb+和Ge+的PAI技术使Ti硅化物相转移温度降低80度,大大促进了相转移。新工艺Ti-SALICIDE的0.18-0.2/μm多晶硅线条薄层电阻降低到3.7Ω,表面形貌良好。借助于RBS,XRD,TEM,SEM,AFM等分析手段对成核及相转移机理进行了探讨,对新...
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