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水平GAAS单晶

2002年

应用技术

成果简介

水平GaAs单晶是目前产量最大的一种化合物半导体材料，其生产设备投资较小。由于生长系统中温度梯度小，单晶位错密度低，是制备各种光电器件如红外LED，高亮度黄、橙、红色的LED、LD、高效太阳能电池等的主要衬底材料，产品尺寸以直径2英寸、3英寸为主。...

相关成果

1. 水平GaAs单晶材料产业化
2. 移动通信电路用Si-GaAs单晶研究
3. 5GHz分频器用Si-GaAs单晶(片)
4. 液封直拉GaAs单晶拉直中杂质和缺陷的控制
5. φ76毫米(3in)非掺Si-GaAs单晶(片)
6. 单晶铜定向凝固水平连铸技术
7. 单晶铜及单晶铝制备技术
8. GaAs集成电路CAD
9. MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料
10. 多层异质结GaAs/Al_XGaAs,GaAs/Si应变层及其界面的研究
12. 室温GaAs红外探测器
13. 东四用GaAs/Ge单体电池
14. 用于MIMIC电路的GaAs VPE材料
15. 单晶连铸技术
16. 分子束外延GaAs基微结构材料
17. 连续铸造单晶铜
18. 锑化铟单晶体
19. 钒酸钇单晶生长技术
20. 气态源分子束外延InGaP/GaAs HBT材料
21. AlGaInP/GaAs HBT功率放大器
22. MOCVD GAAS基半导体微结构材料
23. 半绝缘GaAs 光电导开关击穿特性研究
24. 室温GaAs红外探测器（中科院）
25. 多元电化学沉积GaAs薄膜及其性能研究
26. InGaP/GaAs/Ge高效太阳能电池研究
27. 多元电化学沉积GaAs薄膜及其特性研究
28. 高电压无晃动超快GAAS光电导开关
29. 光纤通信电路用SI-GAAS材料研究
30. 表征功率器件用Si-GaAs特征参数
31. X004型GaAs限幅放大器
32. GaAs微波单片集成电路
33. 高纯高导铜、银单晶定向凝固及单晶线材产业化
34. TDR-80单晶炉
35. 砷化镓单晶的空间生长
36. ZGD真空感应单晶炉
37. 铝铜单晶连铸技术
38. Φ2″VGF砷化镓单晶炉
39. 铝、铜单晶连铸技术
40. 压电钽酸锂单晶
41. φ2″InP单晶生长技术
42. φ2″掺SInP单晶材料
43. 单晶炉系列产品
44. ZCT单晶铜裸材
45. ISSP-HTF单晶炉
46. 4″铌酸锂单晶/片
47. 半绝缘砷化镓单晶材料
48. 无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱
49. ZnSe/GaAs/Ge高效太阳能电池的研制
50. 高迁移率GaAs外延片制备的研究
51. 高效、廉价GAAS/S太阳电池的研究
52. 大功率高压超快GaAs光电导开关
53. 新型太阳能电池材料GaAs的批量制备
54. φ4″超薄单晶硅磨片
55. 重掺CZSI单晶硅
56. 砷化镓单晶的生长方法
57. 直接掺氮直拉硅单晶
58. TDR-50型单晶炉
59. TDR-80型单晶炉
60. 单晶连铸工艺压头分析
61. 磷化铟单晶材料设备
62. 碘化汞单晶体
63. 单晶铜的生产及应用
64. DD6单晶高温合金
65. 大直径重掺杂硅单晶
66. CDTE及CDZNTE单晶生长技术
67. 单晶高温合金制备技术
68. 硅锗合金单晶的制备
69. 单晶炉的多管式结构
70. 铜单晶产业化项目
71. InP单晶锭退火处理方法
72. 单晶铜键合丝开发
73. 大尺寸蓝宝石单晶
74. X003型GaAs PHENT前置放大器
75. GaAs衬底InP-PIN探测器直接键合研究
76. 用于微波单片和功率管的GaAs VPE材料
77. 地面用InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳电池
78. 980 nm InGaAs/GaAs亚单层量子点激光器
79. 半导体照明工程用VB-GaAs衬底材料
80. 六英寸单晶炉用永磁磁体的研制与磁场下单晶生长
81. 4″钽酸锂单晶棒研制
82. Φ6″区熔硅单晶的研制
83. 大直径低位错密度INSB单晶
84. 掺碲砷化镓单晶片的研制
85. 单晶材料掺FE半绝缘INP
86. 单晶光纤损耗测量仪
87. TDR-62CP型单晶炉
88. 低线宽YZG单晶薄膜材料
89. 锗-硅合金单晶及晶片制造
90. 掺钕钇铝石榴石单晶的研制
91. 4"钽酸锂单晶棒研制
92. 氧化锌体单晶生长技术
93. 低线宽YIG单晶薄膜材料
94. GaN单晶生长的研究
95. 单晶颗粒碳化钨粉项目
96. 单晶炉自动控柜及系统
97. 高性能类单晶钴酸锂研究
98. 低位错密度砷化镓单晶材料制备
99. 4英寸低位错锗单晶
100. 12英寸掺氮硅单晶

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