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半导体光电子外延材料

2002年

应用技术

成果简介

提供2英寸Ⅲ-Ⅴ族半导体光电子外延片，采用MOCVD技术，达到高光学质量和高均匀性，主要用于制备高亮度红、橙、黄发光二极管和各种不同发射波长、不同输出功率的半导体激光器和光电探测器。光通信用1.3μm、1.55μm半导体量子阱激光器及其组件采用InGaAsP/InP应变多量子阱结构，具有低成本、高速率、无制冷、低功耗、高可靠等优点，1996年通过国家科委委托中国科学院鉴定，已形成中等规模批量生产。...

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