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C波段8W、16W功率砷化镓场效应晶体管

2002年 应用技术
  • 成果简介
该成果研制过程突破了下列创新工艺技术：用全离子注入技术，在Φ50毫米的半绝缘砷化镓衬底上形成有源层，从而确保有源层的均匀性；采用扩散阻挡层的欧姆接触，避免了功率砷化镓场效应晶体管欧姆接触退化问题；采用0.5微米“r”型栅和介质保护层，有效地改善了器件的微波性能；采用背面通孔热沉技术，减小了源串联电感和热阻；采用内匹配和功率合成技术，有效地提高了器件的输出功率和增益；应用微波非线笥CAD技术，缩短了...
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