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硅/硅键合技术

2002年 应用技术
  • 成果简介
目前键合路线各国均采取亲水键合法。该种方法有难以克服的键合率及边沿键合率低、键合强度小、键合时间长、有孔洞与氧化物高阻夹层等问题。淀积锗层硅/硅键合法(已申报发明专利，97年3月公开)具有键合温度低、键合率高、不存在空洞、不 存在氧化物高阻夹层、实现应力补偿键合强度大的优点，能够解决以前工艺中长期无法克服的缺点。该项目具有极广泛的应用前景，能为社会带来巨大的经济效益。该技术已达到小试规模，处于国际...
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