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栅控场发射二极管

2000年 应用技术
  • 成果简介
微尖场发射阵列可提高密度发射电流,该技术采用微机械加工技术的方法,已制备出40×40场发射阵列,器件开启电压5V,在25V下发射电流达到10^(-4)A。正反向特性良好。用微机械加工技术的方法实现了自对准栅金属场发射阵列制备,得到单尖尽寸4×4μm^2,尖维密度4.4×10^5个/cm^2,在76V下,发射电流密度0.4A/cm^2,栅收集电压81V,单尖跨导达1.18ns/尖,单尖电容1.5pF...
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