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利用硅/硅直接键合制备电力电子器件用衬底材料

2000年 应用技术
  • 成果简介
利用硅/硅直接键合(SDB)技术制备电力电子器件用衬底材料是“八五”期间国 家计委下达的电子部重点科技攻关项目(85-7156-02-03)。东南大学在深入研究硅/硅键合机理基础上，进一步研究了键合界面性质和影响键合质量的因素，突破了“低温低应力键合工艺技术”，“键合空洞抑制和消除技术”，“减少键合界面过渡区含氧量技术”等关键技术，使键合片质量和成品率明显提高。技术指标：该(SDB)技术已能制备出...
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