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离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究

2004年 应用技术
  • 成果简介
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的。本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构，对样品进行X射线和拉曼散射实验表征。研究表明：Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化，当Ge厚度略小于Si薄层厚时，获得最佳的Si室温晶化效果。...
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