国家科技成果网
热门搜索:  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

国家科技成果网 首页 成果 查看内容

PbS纳米带及其制法

2004年 应用技术
  • 成果简介
ⅡB-ⅥA族半导体纳米晶体具有独特的电学性质和光学性质,有着广泛的应用,如:发光二极管、单电子晶体管和薄膜场发射晶体管。其中的PbS具有近红外的带隙,形成纳米团簇时,其带隙会变宽至可见甚至紫外区。因而PbS纳米晶体和纳米线可用于场致发光器件如发光二极管。目前控制制备一维PbS的方法主要足模板法,包括聚合物模板法,介孔硅土模板法,γ射线辐射诱导的反相液晶模板法。然而,这些方法制得的纳米线大多...
相关成果

标签云

相关机构

Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位:科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统