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高效薄膜硅/单晶硅太阳能电池及其制备方法

2006年

应用技术

初期阶段

成果简介

本成果中的电池结构为“栅极/ITO/n-nc-Si/i-nc-Si/p-c-Si/Al背电极”。硅衬底是无织构的p型CZ晶体硅，厚度350m，电阻率3～5Wcm，c-Si背面为Al欧姆接触或Al背场。薄膜硅沉积前用HF溶液和原子氢钝化处理晶体硅表面，以降低界面缺陷态密度。本征层和发射层采用热丝化学气相沉积（HWCVD）技术在衬底温度＜2500℃条件制备，该技术为低温过程、设备结构相对简单、...

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