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直拉硅的快中子辐照

2005年 基础理论
  • 成果简介
该研究通过快中子辐照，在直拉硅片中引入亚稳态缺陷与杂质的相互作用，在硅片表面获得足够深度、可用于器件制造的清洁区；确定了不同的快子辐照剂量对直拉硅性能、内部杂质和缺陷的影响；确定了热处理工艺参数对直拉硅的性能，以及杂质与缺陷相互作用的影响，本研究成果对于快中子辐照直拉硅的晶体和器件生产具有非常重要的指导意义，具有良好的经济与社会效益，该项研究居国际领先水平。...
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