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单电子三极管存储器

2006年 应用技术
  • 成果简介
本实用新型的主要结构中的电极与纳米量子点分别组成两个串联隧道结。通过一个脉冲电压Vp使得n个电子隧道进入纳米量子点,实现电学“写”。通过电流检测纳米量子点上所存储电子的多少,实现电学“读”。本实用新型结构简单,可采用金属材料制作,从而突破了对半导体工艺的依赖,以其为基本单元可制作超高密度、超快速度、超低功耗的大规模存储器。适用于集成电路芯片、计算机CPU、计算机内存、军用、工业和民用电子仪...
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