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含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明属于含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管器件及其加工方法。本发明通过在源漏电极和有机半导体层之间增加一层缓冲层，缓冲层是有机半导体材料，电导率在10^(-6)～10^(-1)/(Ω.cm)之间，缓冲层的设计可以减小金属电极和有机半导体；之间的接触势垒从而增加电荷的注入效率。
缓冲层可以通过光刻剥离或掩模版或者刻蚀的方法放置在源漏电极之下。在有源矩阵液晶显示装置中可...
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