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氮化铝半导体薄膜的光学特征研究

2006年

应用技术

成果简介

氮化铝和氮化镓、氮化铟等都属于宽禁带的Ⅳ族化合半导体。AIN为直接带隙，禁带宽度(Eg)为6.2eV，是目前Ⅳ族氮化物半导体中禁带宽度最大的材料，具有六角纤锌矿晶体结构。
近年来的研究表明，以上这些材料形成连续变化的固溶体ALGaN具有高的键强度，良好的热稳定性和高的击穿电压等性能，是制造高温、高频和短波长光电器件的极好的材料。蓝色发光管的研究成功，使半导体器件可以发射...

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