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高微区均匀性砷化镓材料研制

1998年 应用技术
  • 成果简介
  该成果在单晶制备工艺方面,采用了两步充气、二次拉晶工艺,确立了整锭二步高砷气氛下热处理技术,使材料的均匀性、热稳定性有明显提高,保证提供高质量的Si-GaAs材料。此外该成果利用研制的优质材料,进行了超高速模拟开关和高速分频器集成电路的应用实验研究,在建立高微区均匀性材料参数测量方法的基础上,完善了全自动三电极电阻率微区均匀性和近红外吸收法自动测量技术。...
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