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P／P+ 硅外延片

1998年

应用技术

成果简介

　　该成果采用低温深冷技术对SiHCl3 进行再控制，通过控制硅源中受主杂质硼和施生杂质磷的卤化物BCl3 和PCl3 挥发量，进行外延生长，稳定地研制出P/P+ 高阻厚层硅外延片。该制备技术具有创新性。产品电阻率高于350Ω·Cm，用户使用该片制成了“052”重点工程配套器件，取代了进口。...

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