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1.5μmE2 PROM成套工艺技术

1997年

应用技术

成果简介

该成果在“超薄SiO_2层的热生长”、“掺砷多晶硅的热氧化”及“关于提高N管源漏穿通电压的研究”等多种单项工艺和单项专题研究的基础上，在新改建的4英寸流水线上完成的。在研制过程中攻克了片内高压发生器、高压译码器等高压电路关键制造技术；高耐压、高均匀度的超薄（90A）SiO_2的制造技术；1.5×1.5μm^2小孔的无沾污及高完整性的光刻、刻蚀技术等一系列高难度工艺技术难题。并用该套工艺技术...

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