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抗辐照CMOS／SOS集成电路用2″SOS外延片研制

1997年 应用技术
  • 成果简介
该成果采用自制的蓝宝石单晶衬底，研制出抗辐照CMOS/SOS集成电路用2″SOS处延片。其性能参数为：衬底(1102)及硅膜<100>晶向偏离均小于0.3°；硅膜厚度0.4～0.8μm可控，均匀性≤±8%；杂质浓度≤10^14/cm^3；电阻率≥10^4 Ωcm；经总剂量1×10^6 rad、束流密度105rad/s的r射线辐照性能基本不变。解决了国内抗辐照集成电路、敏感元件及特种元件制作...
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