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晶格失配材料外延生长及其特性表征

1996年 应用技术
  • 成果简介
该成果用氯化物气相外延技术生长了GaAs/InP大失配异质外延层，较好地解决了晶格失配、生长温度的差异和热膨胀系数差异等技术难点，生长的GaAs外延层其失配度为-3.62×10的负二次方，位错密度为6×10的六次方/平方厘米，此结晶质量可初步满足制备光电混合集成器件的技术要求。该成果建立了X射线双晶衍射法、宽角衍射法和小角衍射法以及扫描电镜、电子探针等对外延层质量的检验与表征方法，能简便地...
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