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半导体宽禁带Ⅱ-Ⅵ族超晶格结构研究

1994年 应用技术
  • 成果简介
　　该项成果包括下述内容：
　　1．以低密度激发观测深中心发射鉴别Ⅱ-VI族ZnSe-ZnS超晶格的质量，这种鉴别方法比以激子谱峰半高宽为判据的方法灵敏度更高，且无损伤和方便易行，对有效地鉴别和提高超晶格的质量有指导意义。
　　2．首次提出“有效沟道截面模型”，推导出有效沟道截面的计算公式，成功地找出了应变超晶格反常退沟道产额与超晶格周期内部相邻薄膜层厚度比例之间的关系，理...
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